2024.11.22 금요일
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젠슨 황 입에서 나온 'HBM4'··· 삼성전자·SK하이닉스의 기술력 살펴보니 [이코노믹데일리] 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 SK하이닉스에게 '고대역폭메모리(HBM)4'를 요청했다는 사실이 공식적으로 알려지며 차세대 HBM에 대한 반도체 업계 관심이 몰리고 있다. 최태원 SK그룹 회장은 4일 서울 강남구 코엑스에서 열린 'SK 인공지능(AI) 서밋 2024'에서 황 CEO와 나눈 일화를 소개했다. 최 회장은 "(황 CEO가) HBM4 공급을 6개월 당겨달라고 했다"며 "곽노정 SK하이닉스 사장을 보며 '가능하겠냐'고 물었더니 '최대한 해보겠다'고 하더라"고 언급했다. HBM은 D램 여러 개를 쌓아 올려 만든 고성능 메모리 반도체를 말한다. 현재 양산 중인 제품의 최고 사양은 SK하이닉스가 만든 '12단 적층 HBM3E(5세대)'이며 HBM4(6세대)는 아직 개발 단계에 있다. 황 CEO가 직접 HBM4를 언급한 이유는 엔비디아의 인공지능(AI)용 고성능 그래픽처리장치(GPU)와 HBM의 관계 때문이다. AI를 개발하려면 막대한 데이터를 쌓아두고 GPU를 통해 계산하는 과정이 필요한데 GPU가 데이터를 읽을 수 있도록 옆에 쌓아두는 게 HBM의 역할이다. 따라서 GPU의 성능이 높아질수록 HBM의 처리 속도가 올라가야 한다. 이번에 황 CEO가 요구한 HBM4의 경우 기존 HBM3E보다 최소 2배의 성능 향상이 필요한 걸로 알려졌다. 삼성전자도 HBM4 개발에 뛰어든 상태다. 기존 HBM3E 경쟁에서 뒤처진 삼성전자로선 HBM4 수요를 선점해 그 동안 부진을 털어내겠단 전략이다. 다만 SK하이닉스와 접근하는 기술적 방향성은 다르다. HBM을 만드는 과정에서 가장 중요한 건 D램을 합치는 '적층 기술'이다. 삼성전자는 '열압착 비전도성 접착 필름 방식(TC-NCF)'을 채택했고 SK하이닉스는 '대량 칩 접합 몰딩 방식(MR-MUF)'을 선택했다. TC-NCF는 칩 사이에 접착 필름을 넣고 열을 가해 합치는 공정이라면 MR-MUF는 칩 사이에 '에폭시 몰딩 컴파운드(EMC)'라는 물질을 채워 붙인다. TC-NCF가 열로 눌러 합친다면 MR-MUF는 접착제로 붙이는 셈이다. 공정에 따라 제품의 특징도 다르다. TC-NCF의 경우 온도 변화나 외부 충격에 강하고 접합 강도가 높다고 알려졌다. 이와 달리 MR-MUF는 생산 속도가 빠르고 방열 효과가 우수하다고 평가된다. 두 회사는 모두 내년 하반기 제품 양산을 목표로 HBM4 개발에 들어간 상태다. 메모리 반도체 강자인 삼성전자와 HBM 선두 주자 SK하이닉스가 벌이는 기술 경쟁의 결과도 내년 하반기에 확인할 수 있을 전망이다.2024-11-05 19:01:28
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'D램 신화'에 빠진 삼성전자와 'HBM'으로 비상하는 SK하이닉스 [이코노믹데일리] 한국 반도체 산업의 두 축인 삼성전자와 SK하이닉스의 행보가 극명하게 엇갈리고 있다. 'D램 신화'를 써 내려가던 삼성전자가 부진에 빠진 사이 SK하이닉스는 알짜 제품인 고대역폭메모리(HBM)로 비상하고 있다. 삼성전자는 8일 3분기 잠정 실적으로 매출 79조원, 영업이익 9조1000억원을 거뒀다고 밝혔다. 3분기 실적 전망치(컨센서스)에 크게 못 미치는 ‘어닝쇼크’(실적 충격)를 냈다. 전영현 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문장(부회장)이 "고객과 투자자, 임직원 여러분께 송구하다"는 이례적인 사과 메시지까지 내며 경영 실패를 사실상 인정했다. 반면 SK하이닉스는 역대급 실적을 달성할 전망이다. SK하이닉스의 3분기 컨센서스는 매출 18조1262억원, 영업이익 6조7679억원이다. 실적이 컨센서스에 부합한다면 지난 2분기에 기록한 역대 최대 매출(16조4200억원)과 지난 2018년 달성한 역대 영업이익(6조4700억원) 기록을 동시에 갈아치우게 된다. 고부가가치 메모리인 HBM 경쟁력에서 두 회사 실적을 갈랐다. HBM은 D램 여러 개를 쌓아 올려 데이터 전송 속도를 높인 고성능 반도체다. 특히 천문학적인 데이터를 처리해야 하는 인공지능(AI) 반도체를 만드는 데 필수다. SK하이닉스는 세계 1위 AI 반도체 업체 엔비디아에 HBM을 공급하고 있지만, 삼성전자 HBM은 아직 엔비디아 납품 테스트를 통과하지 못했다. 기술력도 SK하이닉스가 앞선다. SK하이닉스가 지난달 '12단 적층 5세대 HBM' 양산에 들어간 데 반해 삼성전자는 양산 일정조차 잡지 못했다. 학계 전문가들은 삼성전자 부진 이유를 단순히 기술 격차만으로 보진 않는다. '카리스마적 리더십' 부재를 공통적으로 꼽았다. 삼성전자는 오너의 리더십을 바탕으로 1983년 64K D램에 이어 1994년 256MB급, 1996년 1G급 D램을 세계 최초로 개발했고 2000년대 후반 일본 등 경쟁업체를 따돌리고 메모리 업계 1위에 올랐다. 황용식 세종대학교 경영학과 교수는 "삼성전자는 최근 리더십이 제대로 발휘되지 못해 조밀한 조직이 느슨해진 것 같다. 과거 경쟁자를 추격하던 본능을 깨울 필요가 있다"고 주문했다. 이종환 상명대학교 시스템반도체공학과 교수도 "연이은 성공으로 공룡이 된 삼성전자가 선택과 집중을 발 빠르게 하지 못 했다"며 "임직원 연령대는 40대 이상이 되면서 역동성은 떨어지고 HBM이나 파운드리나 어느 분야에도 집중하지 못했다"고 진단했다. 위기가 길어지면서 삼성 내부에선 익명 커뮤니티를 중심으로 구조조정의 불안감이 조성되고 있다. 적자를 내는 파운드리 쪽에서 희망퇴직 프로그램을 통해 감축에 들어간단 관측이 나오자 삼성전자 관계자는 "확인된 사실이 없다"고 선을 그었다.2024-10-10 06:00:00
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SK하이닉스, 세계 최초 '12단 HBM3E' 시대 열었다 [이코노믹데일리] SK하이닉스가 36GB 용량의 12단 적층 5세대 고대역폭메모리(HBM)를 세계 최초로 양산하기 시작했다고 26일 밝혔다. HBM은 메모리 반도체인 D램을 여러 개 쌓아 올려 기존 D램보다 처리 속도를 올린 고성능 메모리다. 기존 HBM의 최대 용량은 3GB D램 칩 8개를 쌓아 만든 24GB였다. 이번 양산 제품은 3GB 제품을 12개 적층해 만들었다. SK하이닉스는 양산 제품을 올해 안으로 엔비디아 등 고객사에 공급할 예정이다. 지난 3월 HBM3E 8단(24GB) 제품을 업계 최초로 고객사에 납품한 지 6개월 만에 만들어낸 성과다. 이미 SK하이닉스는 세계 최대 반도체 위탁생산 업체인 대만 TSMC가 25일(현지시간) 캘리포니아주 샌타클래라 컨벤션센터에서 개최한 '오픈 이노베이션 플랫폼(OIP) 포럼'에서 엔비디아 인공지능(AI) 칩에 탑재되는 HBM3E 12단을 전시했다. OIP는 TSMC가 반도체 생태계 기업과의 협업을 위해 운영 중인 개방형 혁신 플랫폼이다. 반도체 설계, 생산 등 다양한 기업이 참여하는 이 플랫폼에 SK하이닉스는 올해 처음 참석했다. HBM3E 12단은 용량 뿐만 아니라 성능 면에서도 세계 최고 수준이라는 게 SK하이닉스 설명이다. 메모리의 경우 데이터를 인식하는 속도가 9.6기가비피에스(Gbps)에 달해 그래픽처리장치(GPU)로 메타의 인공지능(AI) 모델인 '라마3'을 구동할 경우 700억개의 파라미터 전체를 초당 35번 읽을 수 있다. 여기에 쌓아 올릴 D램칩 수량이 늘었음에도 두께는 기존 8단과 동일한 수준이다. SK하이닉스 관계자는 “당사는 2013년 세계 최초로 HBM 1세대(HBM1)를 출시한 데 이어 HBM 5세대(HBM3E)까지 전 세대 라인업을 개발, 시장에 공급해 온 유일한 기업”이라며 "높아지고 있는 AI 기업들 눈높이에 맞춘 12단 신제품도 가장 먼저 양산에 성공해 AI 메모리 시장에서 독보적인 지위를 이어가고 있다”고 말했다.2024-09-26 10:55:03
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