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"새 역사의 시작"··· 삼성, 차세대 반도체 R&D 단지 설비 반입식 [이코노믹데일리] 삼성전자가 반도체 사업의 초석을 다진 경기 용인 기흥캠퍼스에서 차세대 연구개발(R&D) 단지에 설비 반입과 함께 새로운 미래를 향한 시작을 알렸다. 삼성전자는 18일 기흥캠퍼스에서 차세대 반도체 R&D단지인 '뉴리서치&디밸롭먼트-K(NRD-K)' 설비 반입식을 개최했다. NRD-K는 삼성전자가 미래 반도체 기술을 선점하기 위해 건설 중인 10만9000㎡(약 3만3000평) 규모의 최첨단 복합 R&D 단지로 2030년까지 총 투자 규모가 20조원에 이른다. 이날 행사에는 삼성전자 전영현 부회장을 비롯해 디바이스솔루션(DS)부문 주요 경영진과 설비 협력사 대표, 반도체연구소 임직원 등 약 100명이 참석했다. 전 부회장은 기념사에서 "NRD-K는 차세대 반도체 기술의 근원적 연구부터 제품 양산까지 선순환 체계를 확립해 개발 속도를 획기적으로 개선해 나갈 것"이라며 "삼성전자 반도체 50년의 역사가 시작된 기흥에서 재도약의 발판을 다져 새로운 100년의 미래를 만들겠다"고 밝혔다. ◆삼성 반도체의 역사 기흥에서 미래를 시작 이날 행사는 기흥캠퍼스라는 상징적 의미까지 더해졌다. 기흥캠퍼스는 1974년 한국반도체를 인수한 삼성전자가 1983년 고 이병철 창업회장의 '도쿄 선언' 이후 반도체 사업을 본격적으로 시작했다. 1983년 양산라인 착공을 시작으로 1992년 세계 최초로 64메가바이트(Mb) D램을 개발하고 1993년 메모리 반도체 분야 1위 등을 이뤄내며 반도체 성공 신화의 산실이 됐다. 현재 기흥캠퍼스에서는 파운드리 8인치 및 12인치 라인, LED 라인 등이 가동 중이다. 삼성전자는 반도체 사업 태동지인 기흥에 미래 기술 연구의 핵심인 NRD-K를 건설해 혁신의 전기를 마련하고 기술력과 조직간 시너지를 극대화할 계획이다. 이를 위해 NRD-K는 메모리, 시스템반도체, 파운드리 등 반도체 전 분야의 핵심 연구기지로 자리잡아 근원적 기술 연구부터 제품 개발까지 한 곳에서 이뤄질 수 있도록 인프라를 갖출 예정이다. 차세대 메모리 반도체 개발에 활용될 고해상도 극자외선(EUV) 노광 설비나 신물질 증착 설비 등 최첨단 생산 설비와 웨이퍼 두 장을 이어 붙여 혁신적 구조를 구현하는 웨이퍼 본딩 인프라 등을 도입해 최첨단 반도체 기술의 산실 역할을 할 것으로 기대된다. 앞서 이재용 삼성전자 회장은 복권 후 첫 공식 행보로 2022년 8월 NRD-K 기공식에 직접 참석한 바 있다. 지난해 10월에도 단지 건설 현장을 둘러보고 반도체 전략을 점검했다. NRD-K, 첨단 반도체 생태계 중심될 것 삼성전자는 반도체 사업장을 중심으로 수많은 국내외 소재∙부품∙설비 회사들이 자리하며 대한민국 반도체 산업의 심장이 된 기흥에 NRD-K를 조성하며 첨단 반도체 산업 생태계의 중심지로 거듭날 것으로 전망했다. NRD-K를 통해 협력 회사와 R&D 협력도 확대해 나갈 계획이다. 설비 반입식에 참석한 어플라이드 머티어리얼즈 박광선 지사장은 "상생 협력의 파트너십이 더욱 중요한 시기에 (우리 회사는) 삼성전자와의 긴밀한 협력을 통해 함께 혁신의 속도를 높여 반도체 산업 발전에 기여할 수 있도록 최선을 다하겠다"고 말했다. 삼성전자는 지난 3분기 R&D 분야에 분기 기준 역대 최대 규모인 약 8조8700억원을 투자했고 첨단 패키징 설비를 확대하는 등 미래 기술 경쟁력 확보를 위해 총력을 기울이고 있다.2024-11-18 16:17:12
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반도체 '슈퍼 乙' ASML 어닝쇼크···삼성전자·SK하이닉스도 '먹구름' [이코노믹데일리] 반도체업계의 '슈퍼 을(乙)'로 불리는 네덜란드 ASML이 올해 3분기 수주 금액으로 26억2000만 유로(약 3조9000억원)를 기록했다고 지난 15일(현지시간) 발표했다. 수주 금액이 시장 전망치(컨센서스)인 56억 유로(약 8조3200억원)의 절반에도 미치지 못한 결과를 내면서 전 세계 반도체업계에 충격을 줬다. ASML은 전 세계에서 유일하게 극자외선(EUV) 노광장비를 만들 수 있는 업체다. 노광장비는 빛으로 반도체 회로를 그리는 장비로, 첨단 반도체를 만들기 위해선 그중에서도 최상위 등급인 EUV 노광장비를 사용해야 한다. ASML의 수주 실적이 첨단 반도체 수요에 대한 선행지표로 여겨지는 이유다. ASML은 또 내년 매출로 300억~350억 유로(약 44조4700억~51조8800억원)를 거둘 걸로 전망했다. 이는 ASML이 지난달 밝힌 내년 목표치 400억 유로(약 59조2900억원)와 시장 컨센서스 358억 유로(약 53조600억원)를 크게 밑도는 수치다. 이와 같은 어닝쇼크에 같은 날 뉴욕증시에서 ASML 주가는 16.3% 폭락했다. 슈퍼 을의 추락은 바다 건너 우리나라에도 영향을 미쳤다. ASML의 주요 고객이 삼성전자와 SK하이닉스 등 반도체 제조업체인데, ASML의 실적이 부진하다는 건 곧 두 회사의 설비 투자가 느려졌다고 해석할 수 있기 때문이다. 이에 16일 삼성전자와 SK하이닉스의 주가는 전일 대비 각각 2.46%, 2.18% 하락 마감했다. 특히 삼성전자의 경우 최근 3분기 잠정실적 발표에 따른 어닝쇼크가 겹치며 지난 10일 이후 일주일 만에 다시 주당 5만원 선으로 내려앉았다.2024-10-16 20:08:13
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SK하이닉스, '10나노 1c' 기술개발 성공 [이코노믹데일리] SK하이닉스가 인공지능(AI)용 초고속 D램 고대역폭메모리(HBM)에 이어 10나노 6세대 기술 개발도 성공하면서 D램 1등 기술력을 입증했다. SK하이닉스 뉴스룸은 오태경 부사장이 최근 열린 사내 좌담회에서 "남은 기간 부족한 부분을 보완해 안정적인 양산 수율과 원가 경쟁력을 지속적으로 개선해 SK하이닉스의 1등 리더십을 사수하겠다"는 뜻을 전했다고 10일 밝혔다. 좌담회엔 10나노급 6세대(1c) 기술 개발을 주도한 SK하이닉스 오태경 부사장(1c Tech TF), 조주환 부사장(DRAM 설계), 조영만 부사장(DRAM PI), 정창교 부사장(DRAM PE), 손수용 부사장(개발 TEST), 김형수 부사장(DRAM AE)이 참석했다. SK하이닉스는 지난달 1c 미세공정을 적용한 16기가비트(Gb) DDR5 D램을 개발하는 데 성공했다. 회사의 전 세대 제품 대비 개발 기간을 2개월이나 단축한 셈이다. 1c 기술은 10나노대 초반의 극미세화된 메모리 공정 기술이다. SK하이닉스는 극자외선(EUV) 공정에 신소재를 개발해 적용하고, 설계 기술 혁신을 통해 공정 효율을 극대화해 원가 절감까지 실현했다. SK하이닉스는 연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 시장에 제품을 본격 공급할 계획이다. 오 부사장은 "가장 큰 목표는 '1등 개발'로 우리는 이미 우수성이 증명된 1b 플랫폼을 확장하는 방식으로 개발하는 전략을 선택했다"며 "덕분에 전세대 제품 대비 2개월이나 단축해 1c 기술 개발에 성공할 수 있었다"고 말했다. 조직 문화의 중요성을 언급하며 '원팀'의 힘도 강조했다. 김 부사장은 "미세 공정의 난이도는 점점 높아지고 그에 따른 다양한 기술적 난제가 존재하지만 이를 해결할 힘은 결국 여러 유관 조직이 같은 목표를 향해 나아가는 원팀 정신"이라고 설명했다.2024-09-10 14:18:25
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SK하이닉스, 10나노급 6세대 D램 개발··· 이르면 내년 공급 [이코노믹데일리] SK하이닉스가 10나노대 초반 극미세화된 메모리 공정 기술로 6세대 D램을 개발했다. SK하이닉스는 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한 16기가비트(Gb) DDR5 D램을 개발하는 데 성공했다고 29일 밝혔다. 세계 최초라는 게 SK하이닉스의 설명이다. 반도체업계에선 10나노대 D램부터 세대별로 알파벳 기호를 붙이고 있다. 1세대인 1x부터 1y(2세대), 1z(3세대), 1a(4세대), 1b(5세대)로 이어진다. 1c는 6세대 기술이다. SK하이닉스는 2021년 7월 극자외선(EUV)을 활용해 1a 기술이 적용된 D램을 본격 양산했고 지난해 2분기부터 1b 기술이 적용된 제품을 양산했다. SK하이닉스는 “미세공정의 난이도가 극도로 높아졌지만 회사는 최고 성능이 입증된 5세대(1b) 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 가장 먼저 기술 한계를 돌파해 냈다”며, “연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급해 메모리 반도체 시장의 성장을 이끌어 갈 것”이라고 전했다. SK하이닉스는 1b D램의 플랫폼을 확장하는 방식으로 1c를 개발했다. 덕분에 공정 고도화 과정에서 발생할 수 있는 시행착오를 줄이는 동시에 업계 최고 성능 D램이라는 1b만의 강점을 효율적으로 1c로 옮겨왔다. EUV 특정 공정에 신소재를 개발 적용하고, 전체 공정 중 EUV 적용 공정 최적화에 나서며 원가 경쟁력도 확보했다. 설계 기술 혁신까지 더해지면서 1b 대비 생산성은 30% 이상 향상됐다. 1c DDR5는 동작 속도가 8Gbps(초당 8기가비트)로 이전 세대 대비 11% 빨라지면서 고성능 데이터센터에 주로 활용될 것으로 보인다. 전력 효율은 9% 이상 개선됐다. AI 시대가 본격화되면서 데이터센터의 전력 소비량이 늘고 있는 만큼 1c D램을 데이터센터에 적용할 경우 전력 비용을 이전보다 최대 30%까지 줄일 것으로 회사는 기대하고 있다. 김종환 부사장(DRAM 개발담당)은 “최고의 성능과 원가 경쟁력을 동시에 충족시킨 1c 기술을 최첨단 D램 주력 제품군에 적용하면서 고객에게 차별화된 가치를 제공할 것“이라고 말했다.2024-08-29 21:17:01
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삼성-ASML 우정 '이상無'…지난해 보여준 이재용 협상력, 올해도 '굳건' [이코노믹데일리] 삼성전자가 네덜란드의 반도체 장비 기업 ASML과의 협력을 더욱 공고히 하고 있다. 차세대 극자외선(EUV) 노광 장비 경쟁에서 주도권을 잡게 되면서 다. 지난해 ASML 본사 방문 당시 보여줬던 이재용 삼성전자 회장의 협상 능력이 올해까지 이어지고 있다는 평가가 나온다. 20일 복수의 반도체 업계 관계자에 따르면 삼성전자는 연내 ASML의 차세대 EUV 노광 장비인 하이(High) NA 'EXE:5000'을 도입할 예정이다. 삼성전자는 상용화 목표 시점을 2027년으로 잡은 것으로 전해진다. 하이 NA EUV는 설비가 복잡해 상용화까지 시간이 오래 걸리지만 미세한 회로를 구현할 수 있는 혁신적인 장비다. 기존 EUV 노광 장비보다 같은 칩 면적에 더 많은 트랜지스터를 집적할 수 있어 7㎚(나노미터·10억분의 1m) 이하 반도체 초미세 공정에 필수 장비로 꼽힌다. 현재 이 장비는 전 세계에서 ASML이 독점 생산 중이다. EXE:5000는 하이 NA EUV의 최신 버전이다. 가장 먼저 EXE:5000을 선점한 기업은 인텔이다. 인텔은 ASML로부터 초도물량 6대의 장비 구매 계약을 맺은 것으로 알려졌다. ASML이 연간 생산하는 EXE:5000이 8대 가량인 점을 감안하면 75% 물량을 차지한 셈이다. 업계에서는 삼성전자가 장비 확보 경쟁에서 비교적 선방했다고 보고 있다. 인텔보다는 늦었지만, 삼성의 최대 경쟁사이자 세계 파운드리 1위 기업인 TSMC보다 장비 도입이 빨랐기 때문이다. 익명을 요구한 업계 관계자는 "TSMC는 ASML과 가격 협상에 실패해 EXE:5000을 도입하지 못했다"며 "TSMC의 파운드리 사업 규모가 삼성보다 훨씬 크기 때문에 장비 1~2대로는 커버가 불가능하다. 올해 물량은 놓친 것으로 봐야 된다"고 설명했다. 실제 2분기 TSMC와 삼성전자의 파운드리 매출 규모는 각각 28조원, 6조8000억원이었다. 삼성전자가 EUV 장비를 확보할 수 있었던 비결로 이재용 회장의 협상력이 통했기 때문이라는 분석도 있다. 앞서 이 회장은 지난해 윤석열 대통령과 함께 ASML 본사를 방문해 ASML과 삼성전자 간 공동 연구개발(R&D) 센터 건립 계약을 성사시킨 바 있다. 공동 R&D 센터 조성 사업은 계획대로 순항하고 있다. ASML은 최근 경기 화성시 동탄2지구에 약 1만9000㎡의 부지를 매입하고 새로운 캠퍼스를 건설 중이다. ASML은 약 1조원을 투입해 반도체 장비 부품 제조센터와 엔지니어 트레이닝 센터를 조성하기로 했다. 삼성전자 관계자는 "일부에서 보도된 R&D 센터 논의 중단 등의 내용은 사실이 아니다"라고 일축했다.2024-08-20 18:07:54
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최태원 SK 회장, TSMC 회장과 면담…"AI 반도체 협업 강화" [이코노믹데일리] 최태원 SK그룹 회장이 세계 최대 반도체 위탁생산(파운드리) 기업 TSMC를 이끄는 웨이저자 회장과 만났다. 지난 4월 미국 실리콘밸리에서 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)와 회동한 데 이어 TSMC에도 손을 내밀며 '반도체 경영'에 탄력이 붙었다. SK그룹은 최 회장이 지난 6일 대만에서 웨이 회장을 비롯한 TSMC 경영진과 현지 정보기술(IT) 업계 주요 인사를 만나 인공지능(AI) 반도체 협업 방안을 논의했다고 7일 밝혔다. 이 자리에는 곽노정 SK하이닉스 사장도 배석했다. 최 회장은 웨이 회장에게 "인류에 도움을 주는 AI 시대 초석을 함께 놓자"는 메시지와 함께 AI 핵심 반도체인 고대역폭 메모리(HBM) 분야 협력을 강화하자는 뜻을 전했다. SK하이닉스는 6세대 HBM 제품인 HBM4 개발과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 높이기 위해 지난 4월 TSMC와 기술 협력 양해각서(MOU)를 체결한 바 있다. 반도체 후공정 중 하나인 어드밴스드 패키징은 집적도가 매우 높은 반도체 회로를 보호막(패키지)으로 감싸는 첨단 기술이다. SK하이닉스는 HBM4부터 성능을 향상하기 위해 칩의 밑바탕이 되는 베이스 다이(Die) 생산에 TSMC의 로직 선단 공정을 활용할 계획이다. 베이스 다이는 연산 작업을 하는 그래픽처리장치(GPU)와 연결돼 HBM을 제어하는 부품이다. SK하이닉스와 TSMC는 수평(2D) 기판 위에 수직(3D) 적층된 HBM을 하나로 결합한 '2.5D' 패키징 기술 결합에도 협력하기로 했다. 최 회장은 지난해 말 '서든 데스(돌연사)'를 언급한 이후 AI와 AI 반도체 분야에서 글로벌 기업과의 연합 전선 구축에 집중하고 있다. 최 회장은 지난해 12월 극자외선(EUV) 노광장비 생산 기업인 네덜란드 ASML 본사를 찾아 EUV 장비용 수소 가스 재활용 기술과 차세대 EUV 개발에 관해 논의했다. 올해 4월 젠슨 황 CEO와의 만남에선 HBM 공급을 비롯한 파트너십 강화 방안을 논의했다. SK하이닉스는 세계 메모리 반도체 기업 중 처음으로 엔비디아에 5세대 HBM인 HBM3E를 공급한 바 있다. SK그룹 관계자는 "최 회장의 반도체 광폭 행보는 AI와 반도체 분야에서 고객사의 광범위한 요구를 충족하는 생태계 구축이 중요해졌기 때문"이라며 "SK 사업 경쟁력을 키우기 위해 글로벌 네트워크를 구축하는 게 중요하다는 판단에 따른 것"이라고 설명했다.2024-06-07 11:23:43
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