미국 정부는 '반도체 및 과학법'(CHIPS and Science Act)에 따라 미국 텍사스주에 반도체 공장을 설립하는 삼성전자에 반도체 보조금 64억 달러(약 8조8500억원)를 지급하기로 결정했다고 15일(현지시간) 발표했다.
보조금 규모는 미국 반도체 기업인 인텔(85억 달러·11조8000억원)과 대만 기업인 TSMC(66억 달러·9조1000억원)에 이어 세 번째로 크다.
이에 맞춰 삼성전자는 미국 텍사스주 테일러시에 170억 달러(23조5000억원)를 투자해 건설 중인 반도체 공장의 규모 및 시설을 확대한다. 오는 2030년까지 약 450억 달러(62조3000억원)를 투자한다.
삼성전자는 첫 번째 공장에서 2026년부터 4나노미터(㎚·10억분의 1미터)와 최첨단 공정인 2나노 반도체를 생산할 예정이다. 추가로 짓기로 한 공장에서도 2나노 반도체가 생산된다. 패키징 시설과 함께 첨단 연구개발(R&D) 팹을 새롭게 지을 계획이다.
이날 발표를 앞두고 업계에서는 삼성전자가 미국 정부로부터 받을 보조금이 20억 달러(2조7660억원)에 그칠 것이라는 전망이 우세했다. 실제 보조금 규모는 예상액 대비 3배 이상 증가한 셈이다. 이번 보조금 지급으로 삼성전자의 현지 공장 건설에는 더욱 속도가 붙을 전망이다.