SK하이닉스, 10나노급 6세대 D램 개발··· 이르면 내년 공급

[이코노믹데일리] SK하이닉스가 10나노대 초반 극미세화된 메모리 공정 기술로 6세대 D램을 개발했다.

SK하이닉스는 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한 16기가비트(Gb) DDR5 D램을 개발하는 데 성공했다고 29일 밝혔다. 세계 최초라는 게 SK하이닉스의 설명이다.

반도체업계에선 10나노대 D램부터 세대별로 알파벳 기호를 붙이고 있다. 1세대인 1x부터 1y(2세대), 1z(3세대), 1a(4세대), 1b(5세대)로 이어진다. 1c는 6세대 기술이다.
SK하이닉스는 2021년 7월 극자외선(EUV)을 활용해 1a 기술이 적용된 D램을 본격 양산했고 지난해 2분기부터 1b 기술이 적용된 제품을 양산했다.

SK하이닉스는 “미세공정의 난이도가 극도로 높아졌지만 회사는 최고 성능이 입증된 5세대(1b) 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 가장 먼저 기술 한계를 돌파해 냈다”며, “연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급해 메모리 반도체 시장의 성장을 이끌어 갈 것”이라고 전했다.
 
SK하이닉스는 1b D램의 플랫폼을 확장하는 방식으로 1c를 개발했다. 덕분에 공정 고도화 과정에서 발생할 수 있는 시행착오를 줄이는 동시에 업계 최고 성능 D램이라는 1b만의 강점을 효율적으로 1c로 옮겨왔다.
 
EUV 특정 공정에 신소재를 개발 적용하고, 전체 공정 중 EUV 적용 공정 최적화에 나서며 원가 경쟁력도 확보했다. 설계 기술 혁신까지 더해지면서 1b 대비 생산성은 30% 이상 향상됐다.
 
1c DDR5는 동작 속도가 8Gbps(초당 8기가비트)로 이전 세대 대비 11% 빨라지면서 고성능 데이터센터에 주로 활용될 것으로  보인다. 전력 효율은 9% 이상 개선됐다. AI 시대가 본격화되면서 데이터센터의 전력 소비량이 늘고 있는 만큼 1c D램을 데이터센터에 적용할 경우 전력 비용을 이전보다 최대 30%까지 줄일 것으로 회사는 기대하고 있다.
 
김종환 부사장(DRAM 개발담당)은 “최고의 성능과 원가 경쟁력을 동시에 충족시킨 1c 기술을 최첨단 D램 주력 제품군에 적용하면서 고객에게 차별화된 가치를 제공할 것“이라고 말했다.