이창양 산업통상자원부 장관[사진=연합뉴스]
산업통상자원부는 서울 강남구 논현동 보코서울강남호텔에서 삼성전자, SK하이닉스와 '민관 공동투자 반도체 고급 인력 양성 사업' 투자 유치 체결식을 개최했다고 23일 밝혔다.
반도체 인력 양성 사업 양해각서(MOU)를 체결한 정부와 반도체 업계는 2032년까지 총 사업비 2228억원을 각각 절반씩 투자할 계획이다. 이날 업계는 △반도체 첨단기술 확보 △우수인력 양성을 위한 과제 발굴 △기업 엔지니어 멘토링을 통한 대학 산학 연구개발(R&D)지원 등을 통해 협력하기로 했다.
이번 민관공동 R&D 사업은 산자부가 지난해 7월 발표한 '반도체 초강대국 달성전략'에 대한 후속 조치다. 반도체 초강대국 달성 전략은 △인프라 구축 지원과 세제 혜택 확대 △반도체 클러스터 구축 △반도체 특성화대학원 신규 지정·반도체 브레인 트랙 운영 등을 통한 반도체 인력 10년간 15만명 등이 골자다.
특히 석·박사 과정 인력이 산업계에서 필요로 하는 R&D 과제를 수행해 기업이 요구하는 전문 역량을 보유한 고급 인력으로 양성되는 사업이다. 기업은 직접 발굴하고 제안한 R&D 과제를 통해 대학 인력을 활용해 핵심 원천 기술을 확보하겠다는 취지다. 대학은 과제를 수행하면서 기술 간극을 해소해 실전 경험을 보유한 전문 인력을 양성할 계획이다.
산자부는 민관공동 R&D 사업으로 향후 10년간 2365명 이상의 실전형 석·박사 고급 인력을 배출할 수 있을 것으로 기대된다는 입장이다.
이용필 산자부 첨단산업정책관은 "민관공동 투자 유치 체결식은 산업기술 패권 핵심인 반도체 산업 기술 경쟁력 확보와 우수 인력 양성이라는 두 가지 숙제를 민간과 정부가 원팀으로 해결해가는 중요한 첫걸음"이라며 "정부는 지속적으로 민간과 협력해 선순환적인 반도체 산업의 생태계 조성을 위해 노력해 나가겠다"고 말했다.
한편 정부는 이날 제4차 수출전략회의를 통해 투자 확대를 위한 투자세액공제 상향, 전력·용수 등 인프라, 입지 지원 등을 추진한다고 밝혔다. 인공지능(AI)반도체, 전력·차량용 반도체, 첨단패키징(후공정) 등 반도체 유망 분야에 대해 오는 2031년까지 2조9000억원을 투입할 예정이다.
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