이재용 삼성전자 부회장.[사진=삼성전자]
[이코노믹데일리] 삼성전자가 다음주 중으로 파운드리(반도체 위탁생산) 3나노미터 공정 양산에 들어갈 전망이다.
23일 업계에 따르면 삼성전자는 다음주 중으로 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 3나노 공정 양산을 발표할 것으로 예상된다.
삼성전자 측은 복수 언론 등에 3나노 양산 일정이 예정대로 차질없이 진행되고 있으며 올해 상반기(1~6월) 중 양산을 시작한다고 강조했다.
삼성의 이번 GAA 기반 3나노 공정은 대만 TSMC의 핀펫(FinFET) 방식에 비해 칩 면적을 줄이고 소비전력은 감소시키면서도 성능은 높였다.
GAA 기술을 적용한 1세대 3나노 공정 3GAE의 경우 7나노 핀펫 대비 소비전력 50%, 칩 면적 45% 감소 효과와 35% 성능 향상이 예상된다.
이재용 삼성전자 부회장(왼쪽 넷째)이 14일(현지시간) 네덜란드 에인트호번에 위치한 ASML 본사에서 페터르 베닝크 ASML CEO, 마르틴 판덴 브링크 ASML CTO 등과 함께 반도체 장비를 점검하고 있다. [사진=삼성전자]
다만 이같은 성능 향상 및 전력 소모 개선이 수율(결함 없는 제품 비율의 안정화)로 이어지지는 않을 전망이다.
앞서 업계에서는 삼성전자의 4나노 공정 수율과 성능과 관련해 우려를 내왔다. 퀄컴에서 삼성 4나노에서 TSMC N4로 바꾸면서도 성능은 오르고 전력 사용량은 줄었다는 결과를 발표하기도 했다.
또 삼성전자의 3나노 테스트 양산 라인의 수율이 10%대에 불과하고 3나노 2세대 제품은 2024년까지도 외부 고객 전달이 어렵다는 지적이 국내·외에서 흘러나왔다.
삼성전자는 4나노는 물론 3나노 수율과 관련해서는 함구하고 있다. 파운드리 사업 특성상 다품종 소량생산이 특징이라 '충분한 수율'이라는 개념 없이 고객사가 만족하는 수준의 수율을 달성했기 때문에 예정대로 양산하겠다는 것이다.
다만 앞서 초기 램프업이 지연된 4나노가 지난 4월 수율 향상 곡선 내로 진입하는 등 안정화됐던 만큼 3나노 공정도 비슷한 절차를 거쳐 수율 램프업과 안정화 작업이 진행 중인 것으로 알려졌다.
업계 관계자는 "3나노 양산 돌입은 업계에 반가운 소식이지만 수율 관련 우려가 완전히 사라지진 않았다"며 "이재용 부회장의 부재로 노광장비 공급과 판로 모색에 리스크가 있었던 만큼 양산 돌입 후의 안정화도 다소 시간이 걸릴 수 있다"고 말했다.
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