삼성전자, 3나노 파운드리 양산 출하식 개최

25일 화성 V1 라인 출하식, 이창양 산업부 장관 등 참석

세계 유일 3나노 GAA 파운드리 첫 단추

삼성전자 3나노 파운드리 제품 출하식 [사진=삼성전자]

[이코노믹데일리] 삼성전자가 전 세계 최초 차세대 트랜지스터 GAA(Gate All Around)가 적용된 3나노 파운드리 제품 출하에 성공했다.

삼성전자는 25일 경기도 화성캠퍼스 V1라인(EUV 전용)에서 3나노 파운드리 제품 출하식을 개최했다. 이날 행사에는 이창양 산업통상자원부 장관, 경계현 삼성전자 DS부문장(대표이사)과 협력사 임직원 등 100여 명이 참석했다.

삼성전자 파운드리사업부는 '혁신적인 기술력으로 세계 최고를 향해 나아가겠습니다'라는 자신감과 함께 3나노 GAA 공정 양산과 선제적인 파운드리 기술로 사업 경쟁력을 강화해 나가겠다는 포부를 밝혔다.

정기태 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장(부사장)은 기술 개발 경과 보고를 통해 이번 공정 개발 및 양산 과정을 설명했다.

경계현 삼성전자 DS부문장(대표이사)는 "삼성전자는 이번 제품 양산으로 파운드리 사업에 한 획을 그었다"며 "핀펫 트랜지스터가 기술적 한계에 다다랐을 때 새로운 대안이 될 GAA 기술의 조기 개발에 성공한 것은 무에서 유를 창조하는 혁신적인 결과"라고 말했다.

이창양 산업통상자원부 장관도 축사를 통해 삼성전자 임직원 노고에 감사를 표하고 "치열한 미세공정 경쟁에서 앞서기 위해 삼성전자와 시스템반도체 업계, 소부장 업계가 힘을 모아달라"며 "정부도 지난주 발표한 '반도체 초강대국 달성전략'을 바탕으로 민간 투자 지원, 인력 양성, 기술 개발, 소부장 생태계 구축에 전폭적인 노력을 아끼지 않을 것"이라고 강조했다.

이번 제품 출하는 삼성전자가 2000년대 초부터 시작한 GAA 트랜지스터 구조 연구로부터 시작됐다. 삼성전자는 2017년부터 3나노 공정에 해당 연구를 적용해 지난달 세계 최초로 양산을 발표했다.

삼성전자는 차후 3나노 GAA 공정을 고성능 컴퓨팅(HPC)에 처음 적용하고 주요 고객들과 모바일 제품 등에 확대하기 위해 주요 고객들과 협력하고 있다.

제품 양산은 화성캠퍼스에서 처음 시작했으며 향후 평택캠퍼스까지 확대해 나갈 예정이다.