산업

"삼성전자 HBM칩, 아직 엔비디아 테스트 통과 못해"

기자정보, 기사등록일
고은서 기자
2024-05-24 08:57:19

로이터, HBM 발열·전력 소비가 테스트 걸림돌

서울 서초구 삼성전자 서초사옥사진아주경제DB
서울 서초구 삼성전자 서초사옥[사진=아주경제DB]
[이코노믹데일리] 로이터통신 등 외신은 "삼성전자가 고대역폭메모리(HBM)에 대한 엔비디아의 테스트를 여전히 통과(yet to pass)하지 못했다"고 24일 보도했다.

로이터가 통과의 걸림돌로 지적한 건 삼성전자 HBM의 발열과 전력 소비 등이다. 삼성전자는 5세대인 HBM3E를 엔비디아에 납품하기 위해 테스트를 진행 중이지만 예상보다 승인 시간이 지연되고 있다.

로이터는 "삼성은 지난해부터 HBM3(4세대)와 HBM3E(5세대)에 대한 엔비디아의 테스트를 통과하려고 노력해 왔다"며 "최근 삼성의 8단 및 12단 HBM3E 칩에 대한 테스트 실패 결과가 4월에 나왔다"고 했다.

이어 "문제가 쉽게 해결될 수 있는지 여부는 명확하지 않지만 엔비디아의 요구 사항을 충족하지 못하면서 삼성의 경쟁사인 SK하이닉스보다 뒤처질 수 있다는 우려가 있다"고 설명했다.

HBM은 D램을 여러 층 쌓아 데이터 용량과 처리 속도를 획기적으로 높인 반도체다. SK하이닉스가 2013년 세계 최초로 개발한 뒤 삼성전자와 SK하이닉스가 시장을 양분하고 있다.

로이터는 삼성전자가 구체적인 언급을 피하면서도 HBM에는 고객사의 필요에 맞는 최적화 과정이 필요하다면서 고객사와 긴밀히 협조하고 있다고 밝혔다고 덧붙였다.


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